2026年5月,美光向核心服务器生态伙伴送样基于1-gamma制程的256GB DDR5 RDIMM,速率最高9,200 MT/s,较当前量产模块快40%以上,功耗较双128GB模块降低超40%。
2026年3月,美光推出256GB SOCAMM2 LPDRAM模块,功耗和尺寸均降至标准RDIMM的三分之一,每颗8通道服务器CPU可配置2TB容量。在KV缓存卸载场景中,长上下文LLM推理首token生成时间加速2.3倍。
美光1γ DRAM节点采用HKMG和EUV光刻,基于该节点的LPDDR5X速率达10.7 Gbps,功耗降低20%,于2025年6月送样。美光正与NVIDIA合作设计高性能内存方案,并参与JEDEC SOCAMM2规范制定。
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原文标题:AI内存技术演进:DDR5、SOCAMM2与LPDDR5X路线
原文来源:东方网-企业
原文链接:https://qiye.eastday.com/n34/20260813/9ac75d4daa454e2a8505d7b1d09cfb08.html
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